旨在基于半导体薄膜以及多孔基质Al₂O₃中的ZnSe和ZnS纳米结构研发出一种高效的发光装置。基于具有独特性能的宽带隙半导体纳米粒子具有高效电致发光体的小型和超小型辐射源对于创建新型高效光源具有特殊意思。为了创建光源要使用热处理蒸发法和磁控蒸发法以及具备低能量消耗和工艺生态的《软化学》方法。
光源具有以下特征：照度-不少于5米烛光，当电流少于50mA激磁场电压不超于50伏，激磁场频率不超过2千赫兹。