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单晶氧化铝的培养方法

项目编号:UA-G-0031 项目国别:乌克兰 时间:2013-07-16 点击:196

合作要求:    
      培养的单晶难熔氧化物包括氧化铝,在坩埚中的熔体定向凝固,耗费时间少,此方法获得的晶体具有更高的光学性能,在耐热结构材料中,延长了使用寿命。位错密度<104см-2; 摇摆曲线波动<6 20秒;化学纯度 Аl2О3> 99,997%;单个杂质浓度<10ррm, Те - <4ррm;散射中心密度小于5微米,不大于104-3厘米。